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O que é a 3D V-NAND e de que modo difere da tecnologia existente?
A arquitetura de memória flash 3D V-NAND exclusiva e única da Samsung constitui um grande avanço, uma vez que superou as limitações de densidade, desempenho e resistência da atual arquitetura NAND planar convencional. A 3D V-NAND é fabricada empilhando 32 camadas de células verticalmente em vez de reduzir as dimensões das células e de tentar encaixá-las num espaço horizontal fixo, resultando numa densidade superior e num melhor desempenho num espaço menor.

Otimize a informática diária com a tecnologia TurboWrite para alcançar velocidades de leitura / escrita ímpares.
Alcance o desempenho mais avançado de leitura / escrita para maximizar a sua experiência informática diária com a tecnologia TurboWrite da Samsung. Não só obtém uma experiência de utilização 10% superior relativamente à 840 EVO*, como também velocidades de escrita aleatória até 1,9x mais rápidas para os modelos de 120 / 250 GB**. A 850EVO oferece o melhor desempenho da sua classe em termos de velocidades de leitura (540 MB/s) e escrita (520 MB/s) sequencial. Para além disso, também alcança um desempenho aleatório otimizado em todos os QD para o cenário de utilização de cliente PC.
*PCmark7 (250 GB): 6 700 (840 EVO) > 7 600 (850 EVO).
**Escrita aleatória (QD32, 120 GB): 36 000 IOPS (840 EVO) > 88 000 IOPS (850 EVO).

Aumente a velocidade com o modo RAPID melhorado.
O software Magician da Samsung oferece o modo Rapid para alcançar velocidades de processamento de dados 2x mais rápidas* ao nível do sistema utilizando a memória do PC (DRAM) não utilizada como armazenamento cache. O Magician mais recente aumentou a utilização máxima da memória no modo Rapid de 1 GB, na versão 840 EVO anterior, para até 4 GB na versão 850 EVO ao implementar 16 GB de DRAM. Também se obtém um aumento do desempenho de 2x* em todas as profundidades da fila aleatórias.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7 500 > 15 000 (modo Rapid).

Resistência garantida e fiabilidade impulsionada pela tecnologia 3D V-NAND.
A 850 EVO oferece uma resistência e fiabilidade garantidas ao duplicar o valor de TBW* em comparação com a geração anterior de 840 EVO** apoiada por uma garantia de 5 anos líder da indústria. A 850 EVO, através da degradação do desempenho minimizada permite melhorias sustentadas do desempenho até 30% relativamente à 840 EVO, revelando-se um dos dispositivos de armazenamento mais fiáveis***.
*TBW: Total Bytes Written.
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB).
***Desempenho sustentável (250 GB): 3 300 IOPS (840 EVO) > 6 500 IOPS (850 EVO), Desempenho medido passadas 12 horas em teste de “Escrita aleatória”.

Prolongue a utilização graças à eficiência energética melhorada através de 3D V-NAND.
A 850 EVO oferece uma autonomia da bateria significativamente superior no seu computador portátil com um controlador otimizado para 3D V-NAND, que permite a suspensão do dispositivo eficiente a 2 mW. A 850 EVO é agora 25% mais energeticamente eficiente do que a 840 EVO nas operações de escrita* graças a 3D V-NAND, consumindo apenas metade da energia da solução 2D NAND planar.
*Potência (250 GB): 3,2 Watts (840 EVO) > 2,4 Watts (850 EVO).


FeatureFeature Value

Capacidade da drive SSD 1000
Interfaces da drive SSD Serial ATA III
Velocidade de leitura, suporte 540
Velocidade de escrita 520
Tamanho da memória intermédia 1024
Taxa de transferência de dados 6
Leitura aleatória (4KB) 98000
Escrita aleatória (4KB) 90000
Codificação / segurança 256-bit AES
suporte S.M.A.R.T Y
Suporte TRIM Y
MTBF 1500000
Sistema operativo Windows suportado Y
Interno Y
Tamanho 2.5
Cor da caixa Black
Consumo de energia (leitura) 0.1
Consumo de energia (escrita) 0.1
Consumo de energia (idle) 0.045
Temperatura ambiente 0 – 70
Limite de temperaturas (armazenamento) 40 – 85
Humidade de não funcionamento 5 – 95
Choque não operacional 1500
Vibração não operacional 20
Largura do produto 69.85
Profundidade da Unidade 100
Altura da Unidade 6.8
Peso do produto 53